[发明专利]阻变存储器及其形成方法在审
| 申请号： | 202110593160.1 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113363380A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 邹荣;沈阳 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻变存储器及其形成方法，所述阻变存储器包括：半导体衬底，以及依次形成于所述半导体衬底上的阻挡层、第一电极、第一插层、阻变层、第二插层和第二电极，所述阻挡层中具有一开口，所述第一电极填充所述开口，所述第一插层覆盖所述第一电极并延伸覆盖部分所述阻挡层，所述阻变层覆盖所述第一插层，并且所述阻变层中具有氧原子，所述第二插层覆盖所述阻变层并与所述第一插层电连接，所述第二电极覆盖所述第二插层，其中，所述第二插层和所述第一插层的材质均为金属钛。所述第一电极和所述第二电极施加正向电压后，所述第二插层吸收所述阻变层中的氧原子，以使所述阻变层中的氧原子均向所述第二电极移动。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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