[发明专利]阻变存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器包括：

半导体衬底，以及依次形成于所述半导体衬底上的阻挡层、第一电极、第一插层、阻变层、第二插层和第二电极，所述阻挡层中具有一开口，所述第一电极填充所述开口，所述第一插层覆盖所述第一电极并延伸覆盖部分所述阻挡层，所述阻变层覆盖所述第一插层，并且所述阻变层中具有氧原子，所述第二插层覆盖所述阻变层并与所述第一插层电连接，所述第二电极覆盖所述第二插层，其中，所述第二插层和所述第一插层的材质均为金属钛；

所述第一电极和所述第二电极施加正向电压后，所述第二插层吸收所述阻变层中的氧原子，以使所述阻变层中的氧原子均向所述第二电极移动。

2.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的材质均为氮化钛。

3.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层的材质为氧化钽。

4.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层的厚度为30埃～100埃。

5.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述第一插层的厚度和所述第二插层的厚度均为20埃～30埃。

6.一种阻变存储器的形成方法，其特征在于，所述阻变存储器的形成方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有阻挡层，所述阻挡层中具有一开口；

在所述半导体衬底上形成第一电极，所述第一电极填充所述开口；

形成第一插层，所述第一插层覆盖所述第一电极并延伸覆盖部分所述阻挡层，并且所述第一插层的材质为金属钛；

形成阻变层，所述阻变层覆盖所述第一插层，并且所述阻变层中具有氧原子；

形成第二插层，所述第二插层覆盖所述阻变层，并与所述第一插层电连接，其中，所述第二插层的材质为金属钛；

形成第二电极，所述第二电极覆盖所述第二插层；

其中，所述第一电极和所述第二电极施加正向电压后，所述第二插层吸收所述阻变层中的氧原子，以使所述阻变层中的氧原子均向所述第二电极移动。

7.如权利要求6所述的阻变存储器的形成方法，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的材质均为氮化钛。

8.如权利要求6所述的阻变存储器的形成方法，其特征在于，所述阻变层的材质为氧化钽。

9.如权利要求6所述的阻变存储器的形成方法，其特征在于，所述阻变层的厚度为30埃～100埃。

10.如权利要求6所述的阻变存储器的形成方法，其特征在于，所述第一插层和所述第二插层均通过物理气相沉积工艺形成；所述第一插层的厚度和所述第二插层的厚度均为20埃～30埃。