[发明专利]低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法有效
| 申请号： | 202110593081.0 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113540294B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;刘旺平;梅劲;刘春杨;陈张笑雄;王慧 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本公开提供了一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域。材料为本征AlGaN材料的AlGaN欧姆接触层本身的质量好，且对紫外光线的透过率高，减小对紫外光线的吸收以提高出光率。而使氯气电离的Cl |
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| 搜索关键词： | 欧姆 接触 紫外 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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