[发明专利]低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法

说明书

本公开提供了一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域。材料为本征AlGaN材料的AlGaN欧姆接触层本身的质量好，且对紫外光线的透过率高，减小对紫外光线的吸收以提高出光率。而使氯气电离的Cl^‑作用于AlGaN欧姆接触层的表面，Cl^‑与AlGaN欧姆接触层中的Ga存在共价键作用，在欧姆接触层的表面形成氯单分子层，达到使欧姆接触层的表面功函数得到明显降低的效果，从而有利于欧姆接触层与后续的电极金属导电层形成良好的欧姆接触，电极金属与AlGaN欧姆接触层之间的欧姆接触较低，紫外发光二极管所需的工作电压会较低，也可以提高紫外发光二极管的使用寿命。

技术领域

本公开涉及到了发光二极管技术领域，特别涉及到一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法。

背景技术

紫外发光二极管是一种用于光固化的发光产品，常用于杀菌消毒、食物封口材料固化、医用胶固化等，低欧姆接触紫外发光二极管外延片则是用于制备紫外发光二极管的基础结构。低欧姆接触紫外发光二极管外延片通常包括衬底及衬底上生长的n型AlGaN层、GaN/AlGaN多量子阱层、p型AlGaN层与p型GaN欧姆接触层。

p型GaN欧姆接触层中的p型杂质通常为重掺杂，以保证p型GaN欧姆接触层与电极金属之间可以形成良好的欧姆接触。但高度掺杂的p型杂质会导致p型GaN欧姆接触层的质量下降，且p型GaN欧姆接触层本身对紫外光的吸取严重，导致最终得到的紫外发光二极管的出光效率不高。

发明内容

本公开实施例提供了一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法，可以保证与电极形成良好的欧姆接触并有效提高紫外发光二极管的发光效率。

所述技术方案如下：

本公开实施例提供可一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片，所述低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长n型AlGaN层；

在所述n型AlGaN层上生长GaN/AlGaN多量子阱层；

在所述GaN/AlGaN多量子阱层上生长P型AlGaN层；

在所述P型AlGaN层上生长AlGaN欧姆接触层，所述AlGaN欧姆接触层的材料为本征AlGaN材料；

使氯气电离的Cl^-作用于所述AlGaN欧姆接触层的表面，以降低所述AlGaN欧姆接触层的表面的功函数。

可选地，使所述氯气电离的Cl^-作用于所述AlGaN欧姆接触层的表面的时长为10～30min。

可选地，在温度为200～300℃的条件下，使所述氯气电离的Cl^-作用于所述AlGaN欧姆接触层的表面。

可选地，在压力为1～15mTorr的条件下，使所述氯气电离的Cl^-作用于所述AlGaN欧姆接触层的表面。

可选地，所述AlGaN欧姆接触层的厚度为10～100nm。

可选地，所述使氯气电离的Cl^-作用于所述AlGaN欧姆接触层的表面，包括：

将所述衬底放入射频溅射设备或磁控溅射设备；

向所述射频溅射设备或所述磁控溅射设备的腔室通入氯气；

所述射频溅射设备或所述磁控溅射设备电离所述氯气，并使所述氯气电离的Cl^-作用于所述AlGaN欧姆接触层的表面。

可选地，向所述腔室内通入的氯气的流量为30～300sccm。