[发明专利]一种太赫兹自旋选择性传输全硅超构器件设计方法在审
| 申请号： | 202110593048.8 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113488582A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李继涛;岳震;李杰;郑程龙 | 申请（专利权）人： | 成都第三象限未来科技有限公司;成都能太科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/10;H01L43/14 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 代维凡 |
| 地址： | 610095 四川省成都市中国（四川）自由贸易*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太赫兹自旋选择性传输全硅超构器件设计方法，包括S1、基于全硅有损材料构建基本结构，基本结构包括三个几何分布的椭圆条；S2、将S1中的基本结构进行周期延伸形成超表面。本发明强化太赫兹波与硅的相互作用，设计了自旋选择性透射全硅超表面，在太赫兹波段获得了优良的自旋选择性传输特性，圆二色性可达0.4，相比现有技术，本发明将自旋选择透射全硅超表面的圆二色性提高了30％左右。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 自旋 选择性 传输 全硅超构 器件 设计 方法 | ||
【主权项】：
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