[发明专利]一种基于TSV的三维集成电路封装方法有效
| 申请号： | 202110592533.3 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113380649B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 何兵;李峰 | 申请（专利权）人： | 成都优拓优联万江科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/768;H01L25/18;H01L21/306 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 611130 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于TSV的三维集成电路封装方法，方法包括：提供晶圆器件，在晶圆正面光刻出掩膜层，分别刻蚀出TSV通孔和沉头孔，然后进行TSV电镀和微凸块电镀；采用磨削设备和抛光液对晶圆进行磨削和抛光处理，在将晶圆磨削至预设厚度；在晶圆表面利用磁控溅射方法在淀积出扩散阻挡层及种子层，同时在晶圆背面制作反面铜锡微凸块；利用划片设备进行划片，将晶圆划分为普通芯片和带加强环及沉头孔结构的芯片，再利用堆叠设备将两种芯片分别独自进行逐层堆叠形成3D芯片，然后放入回流炉进行回流，最后获得3D堆叠芯片。本发明对集成电路的关键封装工艺进行优化，减少了晶圆磨削产生的损伤和残余应力，提高了TSV封装体的热机械稳定性和抛光效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 tsv 三维集成电路 封装 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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