[发明专利]一种静电吸附装置及其所在的基片处理系统在审
| 申请号： | 202110591882.3 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN115410972A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 裴江涛;张辉 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 包姝晴;张妍 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静电吸附装置及其所在的基片处理系统，所述静电吸附装置包括装置本体以及位于装置本体内的静电产生模块与静电控制模块；所述静电产生模块用于产生静电，所述静电控制模块用于控制所述静电产生模块是否产生静电以及所产生静电的大小；所述静电吸附装置的底部设置有绝缘部件。本发明的静电吸附装置可产生静电真空反应腔内的吸附边缘环或颗粒物，实现在不打开真空反应腔的情况下更换受损耗的边缘环或移除真空反应腔内的颗粒物。此外，静电吸附装置底部的绝缘部件，可以提高静电吸附装置吸附边缘环时的静电吸附力，从而减小了静电吸附装置的运行成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 吸附 装置 及其 所在 处理 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
