[发明专利]一种静电吸附装置及其所在的基片处理系统在审
申请号: | 202110591882.3 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN115410972A | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 裴江涛;张辉 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 包姝晴;张妍 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 吸附 装置 及其 所在 处理 系统 | ||
1.一种用于等离子体处理装置的静电吸附装置,其特征在于,所述静电吸附装置包括装置本体以及位于装置本体内的静电产生模块与静电控制模块;所述静电产生模块用于产生静电,所述静电控制模块与所述静电产生模块连接,用于控制所述静电产生模块是否产生静电以及所产生静电的大小;所述静电吸附装置的底部设置有绝缘部件。
2.如权利要求1所述的静电吸附装置,其特征在于,所述静电吸附装置用于在所述等离子体处理装置的真空反应腔内进出,通过控制所述静电产生模块的静电有无或大小实现对所述真空反应腔内的边缘环的吸附和解吸附,以实现所述边缘环的更换。
3.如权利要求1所述的静电吸附装置,其特征在于,所述静电吸附装置用于在所述等离子体处理装置的真空反应腔内进出,通过控制所述静电产生模块产生静电实现对所述真空反应腔内的颗粒物的吸附移除。
4.如权利要求1所述的静电吸附装置,其特征在于,所述装置本体采用绝缘材料。
5.如权利要求1所述的静电吸附装置,其特征在于,所述静电吸附装置的厚度不超过6mm。
6.如权利要求1所述的静电吸附装置,其特征在于,所述静电产生模块包含:电源模块以及至少一对内嵌电极,每对内嵌电极中的两个电极的输入电压极性相反;所述静电控制模块包含:电压控制模块,所述电压控制模块的输入端与所述电源模块的输出端连接,所述电压控制模块的输出端分别与每对内嵌电极中的两个电极连接;所述电压控制模块用于将电源模块输出的电压升高为足够吸附边缘环的第一吸附电压或将电源模块输出的电压控制为与所述第一吸附电压极性相反的第一解吸附电压。
7.如权利要求6所述的静电吸附装置,其特征在于,所述第一解吸附电压小于所述第一吸附电压。
8.如权利要求6所述的静电吸附装置,其特征在于,所述静电控制模块还包括:无线传输模块,其与所述电压控制模块连接,用于接收外部控制信号并发送给所述电压控制模块,使得所述电压控制模块对电源模块输出的电压进行处理。
9.如权利要求6所述的静电吸附装置,其特征在于,每对所述内嵌电极中的两个电极均匀间隔设置在所述静电吸附装置的外圈。
10.如权利要求1所述的静电吸附装置,其特征在于,所述绝缘部件的底面凸出于或平于所述静电吸附装置的装置本体的底面。
11.如权利要求1所述的静电吸附装置,其特征在于,所述绝缘部件沿所述静电吸附装置的径向呈辐射状均匀或非均匀地设置在所述静电吸附装置的底部。
12.如权利要求1所述的静电吸附装置,其特征在于,所述绝缘部件呈环状设置在所述静电吸附装置的外圈底部。
13.如权利要求12所述的静电吸附装置,其特征在于,所述绝缘部件包含平面吸附部以及与所述边缘环形状相匹配的斜面吸附部,以更加紧密贴合所述边缘环,并降低第一吸附电压的电压大小。
14.如权利要求13所述的静电吸附装置,其特征在于,所述装置本体的外圈形状与所述绝缘部件的形状相匹配。
15.如权利要求1所述的静电吸附装置,其特征在于,所述绝缘部件具有弹性。
16.如权利要求15所述的静电吸附装置,其特征在于,所述绝缘部件所采用的材料包括特佛龙、环氧树脂、硅树脂、聚丙烯酸橡胶中的至少一种。
17.如权利要求1所述的静电吸附装置,其特征在于,所述静电吸附装置的下表面设有一凹口,便于容纳机械手对所述静电吸附装置的取放及传送。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造