[发明专利]提高发光效率的紫外发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110591165.0 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113540305A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;刘旺平;梅劲;刘春杨;王慧;陈张笑雄 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种提高发光效率的紫外发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。将提高发光效率的紫外发光二极管芯片中与p型GaN欧姆接触层相接触的，p型氮化镓材料、氧化钼材料与Al金属材料之间可具有较好的粘附性；氧化钼的功函数与p型氮化镓的费米能级较为接近，氧化钼层可以与p型GaN欧姆接触层之间形成良好的欧姆接触，使得p电极与p型GaN欧姆接触层之间的欧姆接触较低，p电极与p型GaN欧姆接触层之间的欧姆接触较低。另外氧化钼在短波紫外波段具有较高的透过率，提高紫外发光二极管的外量子发光效率。最终可以得到发光效率有效提高且性能稳定的紫外发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 发光 效率 紫外 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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