[发明专利]提高发光效率的紫外发光二极管芯片及其制备方法

说明书

本公开提供了一种提高发光效率的紫外发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。将提高发光效率的紫外发光二极管芯片中与p型GaN欧姆接触层相接触的，p型氮化镓材料、氧化钼材料与Al金属材料之间可具有较好的粘附性；氧化钼的功函数与p型氮化镓的费米能级较为接近，氧化钼层可以与p型GaN欧姆接触层之间形成良好的欧姆接触，使得p电极与p型GaN欧姆接触层之间的欧姆接触较低，p电极与p型GaN欧姆接触层之间的欧姆接触较低。另外氧化钼在短波紫外波段具有较高的透过率，提高紫外发光二极管的外量子发光效率。最终可以得到发光效率有效提高且性能稳定的紫外发光二极管。

技术领域

本公开涉及到了发光二极管技术领域，特别涉及到一种提高发光效率的紫外发光二极管芯片及其制备方法。

背景技术

紫外发光二极管是一种用于光固化的发光产品，常用于杀菌消毒、食物封口材料固化、医用胶固化等，提高发光效率的紫外发光二极管芯片则是用于制备紫外发光二极管的一种基础结构。提高发光效率的紫外发光二极管芯片通常包括外延片、n电极与p电极，外延片包括衬底及衬底上生长的n型AlGaN层、GaN/AlGaN多量子阱层、p型AlGaN层、p型欧姆接触层与氧化铟锡层，n电极与p电极分别连通至n型AlGaN层与氧化铟锡层。

氧化铟锡层可以与p型欧姆接触层以及电极之间形成良好的欧姆接触，但氧化铟锡层对紫外光线的吸收非常严重，会降低紫外发光二极管的出光效率。

发明内容

本公开实施例提供了一种提高发光效率的紫外发光二极管芯片及其制备方法，可以提高紫外发光二极管的出光效率。所述技术方案如下：

本公开实施例提供可一种提高发光效率的紫外发光二极管芯片，所述提高发光效率的紫外发光二极管芯片包括外延片、n电极与p电极，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型AlGaN层、GaN/AlGaN多量子阱层、p型AlGaN层及p型GaN欧姆接触层，所述n电极与所述p电极分别连通至所述n型AlGaN层与所述p型GaN欧姆接触层，

所述p电极包括依次层叠的氧化钼层与Al金属层。

可选地，所述Al金属层的厚度与所述氧化钼层的厚度之比为200:1～100:3。

可选地，所述氧化钼层的厚度为1～3nm。

可选地，所述Al金属层的厚度为100～200nm。

本公开实施例提供了一种提高发光效率的紫外发光二极管芯片的制备方法，所述提高发光效率的紫外发光二极管芯片的制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长n型AlGaN层；

在所述n型AlGaN层上生长GaN/AlGaN多量子阱层；

在所述GaN/AlGaN多量子阱层上生长p型AlGaN层；

在所述p型AlGaN层上生长p型GaN欧姆接触层；

在所述p型GaN欧姆接触层上制备延伸至所述n型AlGaN层的凹槽；

在所述n型AlGaN层被所述凹槽暴露的表面形成n电极；

在所述p型GaN欧姆接触层上形成p电极，所述p电极包括依次层叠的氧化钼层与Al金属层。

可选地，所述在所述p型GaN欧姆接触层上形成p电极，包括：

在300℃～400℃的温度条件下生长所述氧化钼层；在500℃～600℃的温度条件下生长所述Al金属层。

可选地，所述在所述p型GaN欧姆接触层上形成p电极，包括：