[发明专利]一种高电压薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202110588811.8 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113471077A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 刘立滨;许诺;臧金良;王一凡;张淮 | 申请（专利权）人： | 北京机械设备研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/34;H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京云科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11483 | 代理人： | 张飙 |
| 地址： | 100854 北京市海淀区永*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请揭示了一种高电压薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底上光刻形成栅电极材料，在光刻后的衬底上生长栅介质层；在栅介质层对应于厚栅介质层的区域进行光刻，得到厚栅介质层；生长薄栅介质层；在薄栅介质层的上方生长半导体薄膜材料层，生长完成后对半导体薄膜材料层进行光刻，并刻蚀半导体薄膜材料层的两端，以露出薄栅介质层；在半导体薄膜材料层上方的源极区域、漏极区域、间隙区域掺杂预定材料；按照预定方式生成源电极、漏电极与钝化层。本申请通过将栅介质层分为两种厚度，与源电极相连的栅介质层厚度较薄，与漏端连接的栅介质层厚度较厚，半导体薄膜材料覆盖栅介质层，并且与源电极和漏电极连接，形成导电通道；能够耐受更高的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
