[发明专利]一种单向负阻型TVS芯片制造工艺在审
| 申请号： | 202110584930.6 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113270318A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 崔文荣 | 申请（专利权）人： | 江苏晟驰微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 丁桂红 |
| 地址： | 226600 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于TVS芯片制造领域，尤其是一种单向负阻型TVS芯片制造工艺，针对现有的单向负阻型TVS芯片不具有双向TVS二极管的低钳位电压和低击穿电压的优点，不具有单向TVS负向浪涌钳位电压低的优点的问题，现提出如下方案，其包括以下步骤：S1、扩散前处理：采用P型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗工序，对硅片表面进行化学处理；S2、初氧：使用氢氧合成工艺完成初氧；S3、基区光刻：正面基区光刻，背面辅助区域光刻；S4、磷预扩：双面补磷；S5、去双面氧化层；S6、背面补硼，本发明具有双向TVS二极管的低钳位电压和低击穿电压的优点，又具有单向TVS负向浪涌钳位电压低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单向 负阻型 tvs 芯片 制造 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
