[发明专利]压电MEMS谐振器及其形成方法、电子设备在审
| 申请号： | 202110582039.9 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113364423A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 张孟伦;杨清瑞;宫少波 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H03H9/10 | 分类号： | H03H9/10;H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京汉智嘉成知识产权代理有限公司 11682 | 代理人： | 姜劲;谷惠敏 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及谐振器技术领域，具体涉及一种压电MEMS谐振器及其形成方法、电子设备。本发明的压电MEMS谐振器，具有一个或多个谐振结构，所述谐振结构包括沿平行于器件基底平面的方向堆叠的压电层、电极层和从动层。该压电MEMS谐振器中，谐振结构为在水平方向上振动而非在上下方向振动。由于不在需要垂直方向的振动空间，因而大幅缩减了对纵向空间的要求，可以直接用平面硅片键合封装，使成本降低。由于谐振结构可以在纵向延伸，因而器件可以在水平尺寸上进行压缩，实现小型化，高产率。这种谐振器通过在谐振结构的纵向侧壁附着压电薄膜实现。当在谐振体的两个对表面同时附着压电层时，可使谐振器的机电耦合系数翻倍，同时解决应力补偿问题。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 mems 谐振器 及其 形成 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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