[发明专利]一种铝硅铜厚金属薄膜物理气相淀积的腔体处理方法有效
| 申请号： | 202110572621.7 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113308676B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 何江;王成熙;刘存生;刘如征;李博 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/54;C23C14/56 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 房鑫 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于Endura5500型直流磁控溅射台的铝硅铜厚金属薄膜物理气相淀积的腔体处理方法，当前一片晶圆金属铝硅铜溅射传出腔体后，对磁控溅射台的工艺腔体进行抽真空处理；在步骤S1抽真空的工艺腔体中通60s的正面氩气和基座氩气；对步骤S2处理后的工艺腔体进行抽真空30s；将下一片晶圆传入工艺腔体进行铝硅铜厚金属薄膜溅射；本发明通过控制并优化金属淀积后工艺腔体的真空度和基座温度，实现宇航级抗辐射VDMOS芯片生产过程中铝硅铜厚金属薄膜单腔淀积技术，同时解决批生产时正面金属化工艺不能多片连续作业的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铝硅铜厚 金属 薄膜 物理 气相淀积 处理 方法 | ||
【主权项】：
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