[发明专利]一种ITWO靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 202110568300.X | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113149613B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 刘文杰;钟小华;童培云;朱刘 | 申请（专利权）人： | 先导薄膜材料（广东）有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622;C04B35/638;C23C4/10;C23C4/16;C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ITWO靶材，涉及靶材制备领域。本发明所述ITWO靶材包括氧化金属组合物，所述氧化金属组合物包括以下组分：氧化铟、氧化锡和氧化钨；氧化钨占氧化铟和氧化锡总质量的1‑5％；所述ITWO靶材的制备过程包括：将所述氧化金属组合物压坯成型后烧结。本发明将氧化钨掺杂到ITO浆料中，使薄膜的性能更佳，经过阶段烧结提高了靶材密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 itwo 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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