[发明专利]一种硅基微流道基板制备方法在审
| 申请号： | 202110563714.3 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113479841A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 禹淼;吴杰;王政焱;王勇光;刘欣;李杰;陈聪;朱健 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00;B01L3/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 曹芸 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基微流道基板制备方法，属于微电子技术领域。该基板制备方法包括：步骤1.在硅表面光刻、干法刻蚀形成多条平行沟槽，去除表面光刻胶；步骤2.表面沉积金属粘附层和铜种子层，喷胶光刻、湿法腐蚀沟槽底部金属粘附层和铜种子层；步骤3.采用二氟化氙干法刻蚀平行微流道，去除光刻胶；步骤4.电镀铜填充沟槽，并完成表面电镀金属铜平坦化；步骤5.表面光刻冷却液接口，腐蚀铜金属和金属粘附层，干法刻蚀硅形成冷却液接口，并连通平行微流道，去除表面光刻胶，完成所述基板的制备。本发明以较简易的工艺和较低的成本，实现单层硅片微流道结构的制备，有效解决电子模块和系统的散热问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基微流道基板 制备 方法 | ||
【主权项】：
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