[发明专利]一种硅基微流道基板制备方法

权利要求书

1.一种硅基微流道基板制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：在硅表面光刻、干法刻蚀形成平行沟槽；

步骤2：在硅表面沉积金属粘附层和铜种子层，喷胶光刻、湿法腐蚀位于平行沟槽底部的属粘附层和铜种子层；

步骤3：采用二氟化氙干法在平行沟槽下方刻蚀平行微流道；

步骤4：通过电镀铜填充平行沟槽， 并覆盖硅表面，从而封闭微流道结构，完成表面电镀金属铜平坦化；

步骤5：在硅表面光刻形成冷却液接口，湿法腐蚀冷却液接口，从而连通平行微流道，完成所述基板的制备。

2.根据权利要求1所述的一种硅基微流道基板制备方法，其特征在于，所述步骤1中的平行沟槽的宽度范围为10-30 μm，平行沟槽的深宽比大于1。

3.根据权利要求1所述的一种硅基微流道基板制备方法，其特征在于，所述步骤2中湿法腐蚀沟槽底部金属粘附层和铜种子层的宽度小于沟槽宽度。

4.根据权利要求1所述的一种硅基微流道基板制备方法，其特征在于，所述步骤3中的平行微流道直径小于步骤1中平行沟槽的间距。

5.根据权利要求1所述的一种硅基微流道基板制备方法，其特征在于，所述步骤3中的平行微流道半径比步骤1中的平行沟槽深度小20 μm以上。

6.根据权利要求1所述的一种硅基微流道基板制备方法，其特征在于，所述步骤5中的冷却液接口深度大于或等于平行微流道的深度。