[发明专利]一种SBD低正向饱和专用材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110562774.3 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113299539B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 刘官超;刘峻成 | 申请（专利权）人： | 深圳市联冀电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L29/16;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京市浩东律师事务所 11499 | 代理人： | 张乐中 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区西乡街道桃源*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SBD低正向饱和专用材料及其制备方法，包括，制备硅晶重掺衬底，通过半导体专用设备外延炉上，在重掺杂硅单晶衬底片正面上以一定温度和时间淀积第一层一定厚度和电阻率的高阻外延层，形成外延层1，通过半导体专用设备外延炉上，在重掺杂硅单晶衬底片正面上以一定温度和时间淀积第二层一定厚度和电阻率的高阻外延层。本发明将外延片的外延层一分为三，且电阻率和厚度逐步增加，三层的平均电阻率低于常规外延片的外延层电阻率，带来的效果是SBD的反压VBR稳定不变，而正向饱和VF降低了0.1‑0.2V的范围，且动态参数正向浪涌IFSM和静电ESD能力都有了明显提升，这证明了SBD基材料外延片的外延层优化，能有效提升产品的静态和动态参数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sbd 正向 饱和 专用 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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