[发明专利]光致抗蚀剂显影剂和制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110558121.8 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113341662A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 刘朕与;翁明晖;訾安仁;张庆裕;林进祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/32 | 分类号： | G03F7/32 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 赵艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本公开涉及光致抗蚀剂显影剂和制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上方形成光致抗蚀剂层；以及使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案。所述潜在图案是通过将显影剂组合物施涂到所述选择性地暴露的光致抗蚀剂层以在所述光致抗蚀剂层中形成图案来显影的。所述显影剂组合物包括：汉森溶解度参数为18δ |
||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂 显影剂 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110558121.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
