[发明专利]光致抗蚀剂显影剂和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成光致抗蚀剂层；

使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案；以及

通过将显影剂组合物施涂到所述选择性地暴露的光致抗蚀剂层以在所述光致抗蚀剂层中形成图案来使所述潜在图案显影，

其中所述显影剂组合物包括：

汉森溶解度参数为18δ_d3、7δ_p1和7δ_h1的第一溶剂；

酸解离常数pKa为-11pKa4的有机酸；以及

路易斯酸，

其中所述有机酸和所述路易斯酸是不同的。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述显影剂组合物还包括汉森溶解度参数为25δ_d13、25δ_p3和30δ_h4的第二溶剂，并且

其中所述第一溶剂和所述第二溶剂是不同的溶剂。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述显影剂组合物还包括基于所述显影剂组合物的总重量为0.1重量％至20重量％的螯合物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述路易斯酸包括选自由以下项组成的组的一种或多种离子：Li⁺、Na⁺、K⁺、Be²⁺、Mg²⁺、Ca²⁺、Sr²⁺、Sn²⁺、Al³⁺、Se³⁺、Ca³⁺、In³⁺、La³⁺、Cr³⁺、Co³⁺、Fe³⁺、As³⁺、Ir³⁺、Sc³⁺、Y³⁺、Yb³⁺、Ln³⁺、Si⁴⁺、Ti⁴⁺、Zr⁴⁺、Th⁴⁺、Pu⁴⁺、VO²⁺、UO₂²⁺、(CH₃)₂Sn²⁺、RPO²⁺、ROPO²⁺、RSO²⁺、ROSO²⁺、SO₃²-、I₇-、I₅-、CI₅-、R₃C⁺、RCO⁺、NC⁺、Fe²⁺、Co²⁺、Ni²⁺、Cu²⁺、Zn²⁺、NO⁺、Cu⁺、Ag⁺、Au⁺、Tl⁺、Hg⁺、Cs⁺、Pd²⁺、Cd²⁺、Pt²⁺、CH₃Hg²⁺、Tl³⁺、Tl(CH₃)³⁺、RH₃⁺、RS⁺、RSe⁺、RTe⁺、I-、Br-、OH-、RO²⁺和I-，或选自由以下项组成的组的一种或多种化合物：I₂、Br₂、SO₂、Be(CH₃)₂、BF₃、BCl₃、BBr₃、B(OR)₃、Al(CH₃)₃、Ga(CH₃)₃、In(CH₃)₃和B(CH₃)₃，其中R是C1-C4烷基。