[发明专利]使用臭氧气体和氢自由基的工件加工有效
| 申请号： | 202110555481.2 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113471070B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张祺;杨海春;仲華;杨晓晅 | 申请（专利权）人： | 北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京易光知识产权代理有限公司 11596 | 代理人： | 崔晓光 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于加工工件的方法。该工件可包括钌层和铜层。在一个示例实施方式中，用于加工工件的方法可以包括将工件支撑在工件支撑件上。该方法可以包括在该工件上对该钌层的至少一部分进行臭氧蚀刻工艺。该方法还可包括在工件上进行氢自由基处理工艺，以去除该铜层上的氧化物层的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 臭氧 气体 自由基 工件 加工 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
