[发明专利]制备方法及选择性发射极太阳能电池在审
| 申请号： | 202110551380.8 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113380922A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 杨苏平;谢晓锋;王爱春;林纲正;陈刚 | 申请（专利权）人： | 广东爱旭科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人： | 贾振勇 |
| 地址： | 528000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种选择性发射极太阳能电池的制备方法，包括：对制绒后的硅片绒面一侧进行重掺杂扩散处理，形成PSG层与重掺杂层；在硅片的正面印制掩膜层后烘干，其中，掩膜层与正电极在硅片上的位置对应；将硅片置于腐蚀液中，通过腐蚀液腐蚀未被掩膜层覆盖的PSG层以及位于硅片表层的重掺杂层，使硅片形成轻掺杂层；通过清洗液去除位于未被腐蚀的重掺杂层上的掩膜层以及掩膜层下的PSG层；对硅片退火处理并在其背面镀制钝化膜；在硅片的正面丝网印刷正电极，在背面印刷背电极与背电场，其中，正电极与硅片上未被腐蚀的重掺杂层对应。本发明还提供了一种选择性发射极太阳能电池。本发明可避免采用常见的激光推进PSG中掺杂源方法所带来的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 方法 选择性 发射极 太阳能电池 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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