[发明专利]一种新型的有机PN异质结液相的生长方法

摘要

本发明公开了一种新型的有机PN异质结液相的生长方法，具体包括：衬底清洗、P3HT薄膜的制备、构建金属线隙生长空腔、PDIF‑CN2生长溶液的配制和注入、薄膜自行生长和冷却揭板、薄膜的形貌表征来验证异质结构和构建晶体管器件和基本的电学测试。本发明利用添加剂辅助的“金属线隙”工艺两步法构建PN异质结：先在衬底上先制备P3HT薄膜作为P型通道，然后在其边缘利用“金属线隙”工艺来堆垛N型通道PDIF‑CN2薄膜，从而实现P3HT/PDIF‑CN2异质结。在异质结的边缘AFM显示在底层的薄膜表现出极大的表面粗糙度，而在顶层薄膜表现出了原子级的平整度和分子台阶，从而获得高质量的异质结薄膜。基于制备的异质结薄膜构建了场效应晶体管器件，转移曲线表现出了典型的V型特征。