[发明专利]功率晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202110548533.3 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113241374B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 任炜强 | 申请（专利权）人： | 深圳真茂佳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 吴珊 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种功率晶体管结构及其制造方法，其结构包括：漏极衬底，具有由漏极外延层提供的处理表面与对应的背面，处理表面并排形成有若干第一沟槽，第一沟槽内设置有栅极；有源层，形成于漏极外延层中；内介电层，分断式形成于栅极上的第一沟槽内，使栅极为嵌埋结构并电绝缘隔离栅极与源极层；第一沟槽的开口处形成有第二沟槽，以形成第一沟槽开口两侧的凹陷区以及第二沟槽之间的台面区，凹陷区内在内介电层两侧形成重掺杂部，台面区形成重掺杂隔离层；源极层，设置于有源层的台面区上，并透过凹陷区导接重掺杂部；有源层在重掺杂部下方且位于栅极两侧形成纵向沟道。本申请具有保持较高的防漏电流性能和提供更强的电流通过能力的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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