[发明专利]一种绝缘体上硅衬底及其制备方法、应用在审
| 申请号： | 202110548328.7 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113471289A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 亨利·H·阿达姆松;王桂磊;戚璇;王云;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 史晶晶 |
| 地址： | 510535 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种绝缘体上硅衬底及其制备方法。一种绝缘体上硅衬底的制备方法，包括：在背衬硅层上形成掩蔽层；进行光刻和蚀刻，使掩蔽层形成多条沟槽，并且沟槽贯穿掩蔽层且深入背衬硅层中，使背衬硅层的表面被分隔成多个硅线条；去除掩蔽层；沉积第一氧化硅层，第一氧化硅层填充沟槽并覆盖硅线条；减薄第一氧化硅层，使硅线条曝露；形成硅顶层；对硅顶层进行热氧化处理，使其表面形成第二氧化硅层；进行退火处理；在退火之后去除第二氧化硅层。本发明制作的衬底能减小寄生电容，提高运行速度；还能降低漏电，具有更低的功耗；还能消除闩锁效应；还能抑制衬底脉冲电流干扰；同时引入应变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘体 衬底 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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