[发明专利]掺杂浓度渐变的圆形漂移区半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110547013.0 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113270481B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张春伟;向振宇;李阳;岳文静;高嵩;阚皞 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 董雪 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种掺杂浓度渐变的圆形漂移区半导体器件及其制备方法，包括：半导体衬底，以及位于半导体衬底表面的漂移区；所述漂移区与半导体衬底之间的边界为圆弧；在所述漂移区全部区域或者设定的部分区域内，其各位置的掺杂浓度处于 |
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| 搜索关键词： | 掺杂 浓度 渐变 圆形 漂移 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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