[发明专利]一种大深度晶界扩散的钕铁硼磁体的制备方法有效
| 申请号： | 202110533903.6 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113394015B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 陈夫刚 | 申请（专利权）人： | 江苏科技大学 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 徐澍 |
| 地址： | 212003*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大深度晶界扩散的钕铁硼磁体的制备方法。先将烧结钕铁硼磁体块体浸入‑196℃的液氮中进行深度冷却处理，然后将磁体取出自然升温到室温。重复以上步骤3～5次，进行钕铁硼磁体晶界扩散前的深冷处理。再利用富含重稀土元素的扩散源对磁体进行晶界扩散处理。本发明的方法可以有效克服钕铁硼磁体晶界扩散深度浅的技术难题，可以制备大厚度的低重稀土含量、高矫顽力和高磁能积钕铁硼磁体，促进烧结钕铁硼磁体晶界扩散技术的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深度 扩散 钕铁硼 磁体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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