[发明专利]一种大深度晶界扩散的钕铁硼磁体的制备方法有效
| 申请号: | 202110533903.6 | 申请日: | 2021-05-17 |
| 公开(公告)号: | CN113394015B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
| 发明(设计)人: | 陈夫刚 | 申请(专利权)人: | 江苏科技大学 |
| 主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 徐澍 |
| 地址: | 212003*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 深度 扩散 钕铁硼 磁体 制备 方法 | ||
1.一种大深度晶界扩散的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤一,将钕铁硼磁体按照尺寸要求切割成块体,用砂纸打磨掉表面的氧化皮,在丙酮溶液中将打磨后的磁体用超声清洗干净;
步骤二,将钕铁硼磁体块体浸入-196℃的液氮中进行深度冷却处理,深冷处理时间为(2~4)×d分钟,其中d为磁体的厚度,单位为:毫米;
步骤三,将步骤一深冷处理的磁体从液氮中取出让磁体温度升高到室温;
步骤四,重复步骤二和步骤三3~5次;
步骤五,利用富含重稀土元素的扩散源对经过深冷处理后的磁体在温度为800~950℃,时间为1~10h,真空度设定值为1×10-3~1×10-2Pa进行晶界扩散处理;
步骤六,将步骤五扩散处理后的磁体再在温度为450~550℃,时间为1~10h,真空度设定值为1×10-3~1×10-2Pa进行低温退火处理,制得大深度晶界扩散的钕铁硼磁体。
2.根据权利要求1所述的一种大深度晶界扩散的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:步骤五中,所述富含重稀土元素的扩散源为富含镝(Dy)或铽(Tb)的低熔点合金或化合物粉末。
3.根据权利要求2所述的一种大深度晶界扩散的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:所述扩散源为Dy70Cu30、Tb70Cu30、DyF3、DyH2中的任一种。
4.根据权利要求1所述的一种大深度晶界扩散的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:步骤一中,所述块体的厚度为5~15mm。
5.根据权利要求1所述的一种大深度晶界扩散的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:步骤一中,所述钕铁硼磁体为烧结钕铁硼磁体,平均晶粒尺寸为1~10μm。
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