[发明专利]三维存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110532721.7 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113270421B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 王迪;周文犀;赵婷婷;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。制备方法包括：在衬底上形成叠层结构，并在叠层结构上形成顶部叠层；在顶部叠层远离衬底的第一侧设置间隔层，并在第一侧形成至少穿透间隔层的沟槽；利用第一填充层填充沟槽；在填充后的沟槽处形成贯穿顶部叠层和叠层结构并延伸至衬底的栅极间隙，其中，在平行于衬底的方向上，栅极间隙的宽度小于沟槽的宽度。根据该制备方法，可降低三维存储器的位线触点与顶部选择栅切口结构之间因错误连接导致的短路风险，提高三维存储器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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