[发明专利]一种可平衡生长体系气氛的碳化硅单晶生长装置有效
| 申请号： | 202110525421.6 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113249784B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 陈启生;许浩 | 申请（专利权）人： | 中科汇通（内蒙古）投资控股有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 010000 内蒙古自治区*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可平衡生长体系气氛的碳化硅单晶生长装置，包括石墨坩埚，所述石墨坩埚用于承装碳化硅粉料，并通过对所述碳化硅进行加热，以使所述碳化硅粉料升华分解为气相组分；籽晶托，用于盛装能够生长碳化硅单晶的籽晶；气管，包括外气管和内气管，用于将升华上升的气相组分捕捉吸收，从气管底部缓释到碳化硅粉料中；卤素气体气管，用于消耗结晶生长初期较多的硅组分，两者共同实现配合实现碳化硅单晶生长过程中气相硅、碳组分在升华过程中动态平衡，保持晶体生长区域的碳、硅比例处于最佳范围，提高碳化硅单晶生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平衡 生长 体系 气氛 碳化硅 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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