[发明专利]单晶硅及其制备方法有效
| 申请号： | 202110515896.7 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113355739B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 张志敏;王贵梅;刘苗 | 申请（专利权）人： | 晶澳太阳能有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人： | 张一帆 |
| 地址： | 055550 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开一种单晶硅及其制备方法。该制备方法为直拉法，包括在惰性气体的环境下对多晶硅料进行熔融和拉晶的步骤；其中在该制备方法中添加掺杂剂，所述掺杂剂包括镓和锑。本发明提供的制备方法可以使掺镓单晶硅的纵向电阻率分布均匀，兼顾单晶硅的电阻率和生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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