[发明专利]阵列基板制备方法有效
| 申请号： | 202110510744.8 | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113299607B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 邵源 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 吕姝娟 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种阵列基板制备方法，其包括提供一设置有第一牺牲层图案的衬底；在衬底和第一牺牲层图案上形成整面设置的电极层，电极层包括第一电极和第二电极；在第二电极上制备得到第二牺牲层图案，第二牺牲层图案至少覆盖第二电极；去除未被覆盖的第一电极；去除第一牺牲层图案和第二牺牲层图案，在衬底上制备得到多个间隔设置的第二电极。无需通过掩膜板形成第二电极，仅增加一涂布第二牺牲层的工序，即可实现更高效的制备得到第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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