[发明专利]基于铁电掺杂的隧穿场效应晶体管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110501010.3 申请日: 2021-05-08
公开(公告)号: CN113241370B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 刘艳;闫钦元;周久人;韩根全;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/10;H01L29/739;H01L21/331
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华;王玺钧
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于铁电掺杂的隧穿场效应晶体管及其制备方法,主要解决现有器件杂质浓度不均匀,开关电流比与亚阈值摆幅大及功耗高的问题。其包括:衬底(1)、氧化层(2)和沟道层(3),沟道层两侧分别是漏极(11)和源极(12),沟道层上方依次为铁电材料构成的源极极化栅(6)、控制绝缘介质栅(4)、铁电材料构成的漏极极化栅(5),该源极极化栅与漏极极化栅两侧为隔离绝缘介质(7),源极极化栅上方是源极极化电极(8),该控制介质栅的上方是控制栅电极(9),该漏极极化栅上方是漏极极化电极(10)。本发明利用漏极极化栅与源极极化栅的铁电极化性质,实现对源漏掺杂区载流子浓度的精确控制,提升了器件的整体性能。
搜索关键词: 基于 掺杂 场效应 晶体管 及其 制备 方法
【主权项】:
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