[发明专利]等离子体处理装置在审
| 申请号： | 202110495002.2 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113675065A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 金俸奭;井上雅博;大秦充敬;小林宪 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括等离子体处理腔室、基片支承部、生成源RF产生部和偏置RF产生部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内。生成源RF产生部构成为能够产生生成源RF信号。生成源RF信号包含多个生成源周期，各生成源周期包含生成源接通状态和生成源关断状态。生成源接通状态具有至少两个生成源功率级。偏置RF产生部耦合于基片支承部，构成为能够产生偏置RF信号。偏置RF信号包含分别与多个生成源周期对应的多个偏置周期，各偏置周期包含偏置接通状态和偏置关断状态。偏置接通状态具有至少两个偏置功率级。根据本发明，能够提高等离子体蚀刻的处理性能。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
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