[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

等离子体处理腔室；

配置在所述等离子体处理腔室内的基片支承部；

生成源RF产生部，其耦合于所述等离子体处理腔室，构成为能够产生生成源RF信号，所述生成源RF信号包含多个生成源周期，各生成源周期包含生成源接通状态和生成源关断状态，所述生成源接通状态具有至少两个生成源功率级；和

偏置RF产生部，其耦合于所述基片支承部，构成为能够产生偏置RF信号，所述偏置RF信号包含分别与所述多个生成源周期对应的多个偏置周期，各偏置周期包含偏置接通状态和偏置关断状态，所述偏置接通状态具有至少两个偏置功率级，第一偏置周期中的向偏置接通状态转变的转变时刻相对于与所述第一偏置周期对应的第一生成源周期中的向生成源接通状态转变的转变时刻错开。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述向偏置接通状态转变的转变时刻相对于所述向生成源接通状态转变的转变时刻被延迟。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一偏置周期中的向偏置关断状态转变的转变时刻与所述第一生成源周期中的向生成源关断状态转变的转变时刻实质上相同。

4.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

等离子体处理腔室；

配置在所述等离子体处理腔室内的基片支承部；

生成源RF产生部，其耦合于所述等离子体处理腔室，构成为能够产生生成源RF信号，所述生成源RF信号包含多个生成源周期，各生成源周期包含生成源接通状态和生成源关断状态，所述生成源接通状态具有至少两个生成源功率级；和

偏置RF产生部，其耦合于所述基片支承部，构成为能够产生偏置RF信号，所述偏置RF信号包含分别与所述多个生成源周期对应的多个偏置周期，各偏置周期包含偏置接通状态和偏置关断状态，所述偏置接通状态具有至少两个偏置功率级，第一偏置周期中的向偏置关断状态转变的转变时刻相对于与所述第一偏置周期对应的第一生成源周期中的向生成源关断状态转变的转变时刻错开。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述向偏置关断状态转变的转变时刻相对于所述向生成源关断状态转变的转变时刻被延迟。

6.根据权利要求4或5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一偏置周期中的向偏置接通状态转变的转变时刻与所述第一生成源周期中的向生成源接通状态转变的转变时刻实质上相同。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述生成源关断状态的期间与所述偏置关断状态的期间部分重叠。

8.根据权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述生成源接通状态具有第一生成源期间中的第一生成源功率级和所述第一生成源期间之后的第二生成源期间中的第二生成源功率级，所述第一生成源功率级大于所述第二生成源功率级。

9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述偏置接通状态具有第一偏置期间中的第一偏置功率级和所述第一偏置期间之后的第二偏置期间中的第二偏置功率级，所述第一偏置功率级大于所述第二偏置功率级。

10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述偏置RF信号在所述第一生成源期间中具有偏置关断期间。

11.根据权利要求9或10所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一偏置期间和所述第二偏置期间与所述第二生成源期间部分重叠，所述偏置RF信号在所述第二生成源期间中从所述第一偏置功率级转变到所述第二偏置功率级。