[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置，其包括等离子体处理腔室、基片支承部、生成源RF产生部和偏置RF产生部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内。生成源RF产生部构成为能够产生生成源RF信号。生成源RF信号包含多个生成源周期，各生成源周期包含生成源接通状态和生成源关断状态。生成源接通状态具有至少两个生成源功率级。偏置RF产生部耦合于基片支承部，构成为能够产生偏置RF信号。偏置RF信号包含分别与多个生成源周期对应的多个偏置周期，各偏置周期包含偏置接通状态和偏置关断状态。偏置接通状态具有至少两个偏置功率级。根据本发明，能够提高等离子体蚀刻的处理性能。

技术领域

以下公开涉及等离子体处理装置。

背景技术

专利文献1公开了一种在使用电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma：ICP，也称为变压器耦合等离子体(Transformer Coupled Plasma：TCP))的装置中使RF(Radio Frequency，电磁频率)信号脉冲化的技术。该专利文献1公开了例如使供给到线圈的生成源RF信号和供给到吸盘的偏置RF信号以脉冲序列相反的方式同步。

现有技术文件

专利文件

专利文献1：美国专利申请公开号2017/0040174说明书。

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够提高等离子体蚀刻的处理性能的技术。

用于解决问题的技术手段

本公开的一方面的等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基片支承部、生成源RF产生部和偏置RF产生部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内。生成源RF产生部构成为能够产生生成源RF信号。生成源RF信号包含多个生成源周期，各生成源周期包含生成源接通状态和生成源关断状态。生成源接通状态具有至少两个生成源功率级。偏置RF产生部耦合于基片支承部，构成为能够产生偏置RF信号。偏置RF信号包含分别与多个生成源周期对应的多个偏置周期，各偏置周期包含偏置接通状态和偏置关断状态。偏置接通状态具有至少两个偏置功率级。第一偏置周期中的向偏置接通状态转变的转变时刻相对于与第一偏置周期对应的第一生成源周期中的向生成源接通状态转变的转变时刻错开。

发明效果

根据本公开，能够提高等离子体蚀刻的处理性能。

附图说明

图1是实施方式的等离子体处理装置的构成的概念图。

图2是表示图1的等离子体处理装置的构成的一例的概要纵截面图。

图3是表示实施方式的等离子体处理的流程的一例的流程图。

图4是表示通过实施方式的等离子体处理进行处理的基片的一例的图。

图5是用于说明实施方式的等离子体处理所使用的RF信号的三等级波形的一例的图。

图6是用于说明生成源功率和偏置功率的值与表示等离子体的状态的物理量之间的关系的图。

图7是用于说明实施方式的等离子体处理中使用的RF信号的三等级波形的另一例的图。

图8是用于说明实施方式的等离子体处理中使用的RF信号的四等级波形的一例的图。

图9A是用于说明实施方式的等离子体处理中使用的RF信号的延迟的图。

图9B是用于说明实施方式的等离子体处理中使用的RF信号的延迟的另一图。

图9C是用于说明实施方式的等离子体处理中使用的RF信号的延迟的又一图。

图9D是用于说明实施方式的等离子体处理中使用的RF信号的延迟的又一图。