[发明专利]一种利用镓掺杂硅纳米浆料制备选择性发射极的方法在审
申请号: | 202110494052.9 | 申请日: | 2021-05-07 |
公开(公告)号: | CN113471314A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 洪捐;张泽新;王玉杰;夏梁冬;许伟良 | 申请(专利权)人: | 盐城工学院 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 钱超 |
地址: | 224051 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种利用镓掺杂硅纳米浆料制备选择性发射极的方法,在经扩散后的晶硅太阳能电池前表面,利用镓掺杂的硅纳米颗粒配制的浆料作为掺杂源,采用丝网印刷来转移图案,烘干后形成镓掺杂的硅纳米薄膜,采用激光辅助扩散工艺在电池前表面形成局域重掺杂镓的选择性扩散区域,随后清洗多余掺杂源并套印金属电极等后续太阳能电池的工艺,最终获得具有选择性发射极的太阳能电池。该选择性发射极的制备方法能跟现有太阳能电池生产工艺完全兼容,不需要增加新设备,生产成本低廉,适合工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 掺杂 纳米 浆料 制备 选择性 发射极 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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