[发明专利]一种图像传感器及其形成方法在审
申请号: | 202110493154.9 | 申请日: | 2021-05-07 |
公开(公告)号: | CN115312547A | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 杨瑞坤 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种图像传感器形成方法,包括以下步骤:在栅极形成前,通过刻蚀工艺在半导体衬底上形成口径为第一宽度的凹槽结构;通过外延工艺使所述凹槽封闭,形成第一隔离区域,同时在所述凹槽中形成口径为第二宽度的中空间隙,用于第一感光区域的侧向隔离,所述第二宽度小于所述第一宽度。本发明还提供一种图像传感器,采用上述形成方法形成。本发明中的技术可以有效地隔离光在相邻像素单元的串扰,并能够减少其他隔离材料引起的应力问题,降低图像传感器的噪声。在栅极完成前实现该结构,与现有工艺有非常好的工艺兼容性。 | ||
搜索关键词: | 一种 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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