[发明专利]利用含氯元素的氧化后退火技术改进SiC MOSFET器件性能的方法在审
| 申请号： | 202110488696.7 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113223940A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 王德君;尹志鹏;尉升升;秦福文 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/78 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所有限公司 21208 | 代理人： | 王树本;徐雪莲 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明属于SiC半导体器件制作及可靠性技术领域，一种利用含氯元素的氧化后退火技术改进SiC MOSFET器件性能的方法，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺对SiC晶片进行清洗，(2)对SiC晶片进行氮氧氧化，(3)对步骤2处理后的样品在含氯元素气氛下进行氧化后退火处理，(4)对步骤3处理后的样品进行涂胶、光刻、腐蚀、去胶、离子注入形成源区和漏区，(5)完成SiCMOSFET的制作。本发明通过在氧化中引入氮元素，在退火中引入氯元素，既可以有效消除SiC/SiO |
||
| 搜索关键词： | 利用 元素 氧化 退火 技术 改进 sic mosfet 器件 性能 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110488696.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
