[发明专利]像素阵列基板中的电隔离及相关方法在审
申请号: | 202110481500.1 | 申请日: | 2021-04-30 |
公开(公告)号: | CN113823647A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 郑源伟;胡信中;陈刚;戴幸志;林赛·格兰特 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋融冰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种像素阵列基板,包括具有像素阵列、后表面和前表面的半导体基板,以及保护环,保护环由掺杂的半导体形成,包围像素阵列,并从前表面延伸到半导体基板中,所述后表面形成沟槽,所述沟槽延伸到半导体基板中并且与保护环重叠。本发明还涉及一种用于减少进入像素阵列中的泄漏电流的方法,包括:对半导体基板进行掺杂以形成保护环,保护环从前表面延伸到半导体基板中,包围像素阵列,排除外围区域,并且阻挡电流的流动,以及将沟槽形成到所述半导体基板的后表面中,所述沟槽穿入所述后表面并且与所述保护环重叠,所述保护环和所述沟槽被配置为阻挡在所述像素阵列与所述外围区域之间的电流的流动。 | ||
搜索关键词: | 像素 阵列 中的 隔离 相关 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的