[发明专利]一种雪崩探测器在审
申请号: | 202110481114.2 | 申请日: | 2021-04-30 |
公开(公告)号: | CN113224196A | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 刘曼文;李志华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种雪崩探测器及其探测方法,所述雪崩探测器,包括:半导体基体,所述半导体基体内有柱状电极和沟槽电极。由于所述沟槽电极环绕所述柱状电极的中心轴设置,所以在所述沟槽电极施加负偏压时,器件的电势分布会很均匀,不会有电势死角。并且,当多个所述雪崩探测器形成阵列时,他们之间可以共用沟槽电极,有利于形成雪崩探测器阵列。所以,解决了现有雪崩探测器结构复杂、需要保护环、电场分布不均匀以及形成阵列时死区比例大从而探测效率低的技术问题,实现了易于制造并提高了器件的性能的技术效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 雪崩 探测器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的