[发明专利]单层氟化石墨烯的肖特基二极管及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110480133.3 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113192835B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 王海东;朱虹鑫;谢思齐;赵帅伊;周要洪 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/28;H01L21/04;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/167;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 肖阳 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了单层氟化石墨烯的肖特基二极管及其制备方法和应用。该方法采用复合刻蚀工艺，在硅衬底上形成深沟槽，使整个单层石墨烯二极管器件悬浮在该沟槽之上，同时在其上制备金属电极；并且，通过二氟化氙(XeF |
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| 搜索关键词： | 单层 氟化 石墨 肖特基 二极管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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