[发明专利]压电MEMS硅谐振器以及电子设备有效
| 申请号： | 202110477305.1 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113472309B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 张孟伦;杨清瑞;宫少波 | 申请（专利权）人： | 广州乐仪投资有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京汉智嘉成知识产权代理有限公司 11682 | 代理人： | 姜劲;谷惠敏 |
| 地址： | 510805 广东省广州市花都区绿港三*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压电MEMS硅谐振器及电子设备。该压电MEMS硅谐振器包括沿着第一方向设置的悬臂梁，悬臂梁包括沿第二方向堆叠的电极层、压电层和硅温补层，其中，第一方向与第二方向互相垂直，硅温补层采用非均匀掺杂的硅材料。本发明依据谐振器在谐振状态下的温度分布、应力分布、位移量分布等参数，在谐振器中硅结构中采用不均匀分布掺杂方案，根据不同部位的需要设计相应的掺杂浓度，实现更精准的温度补偿。另外，通过浓度分布调节单晶硅刚度的分布，当其刚度分布与应力、应变或位移场分布达到一定的相互匹配时，谐振器的机电耦合系数将得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 mems 谐振器 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
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