[发明专利]一种互连结构的形成方法在审
| 申请号： | 202110476125.1 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113192881A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 张鼎丰;闵源 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种互连结构的形成方法，包括：提供一衬底，衬底表面形成有介质层，介质层中形成有暴露衬底表面的通孔；依次形成粘附层及阻挡层，粘附层覆盖介质层及通孔的内壁，阻挡层覆盖粘附层；形成第一导电层，第一导电层填充通孔并覆盖阻挡层；以阻挡层为研磨停止层，执行化学机械研磨工艺；以及，形成第二导电层，第二导电层覆盖阻挡层以及通孔中的第一导电层。通过利用阻挡层作为CMP的研磨停止层，只形成一次粘附层及阻挡层，简化互连结构的形成方法，可缩短工艺制程、降低成本；通过简化形成方法及减少形成介质层所需的厚度，可减少物料消耗，同时还可减小衬底的翘曲度，以解决上述形成互连结构过程中工艺繁琐且成本较高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州粤芯半导体技术有限公司，未经广州粤芯半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110476125.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
