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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]沟槽型功率器件的制造方法-CN202210828974.3在审
发明人：闵源;张鼎丰 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供的沟槽型功率器件的制造方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有沟槽；形成导电材料层，并在沟槽的开口的上方具有凹陷；形成牺牲层，牺牲层的表面在凹陷上方的深度在预设范围内；蚀刻去除牺牲层，以暴露衬底上的导电材料层，并在凹陷中保留有部分牺牲层；蚀刻工艺去除导电材料层以及牺牲层，并以沟槽中的导电材料层作为栅极导电层。本发明中，通过在第一凹陷中填充牺牲层，降低导电材料层顶面的高度差，并且牺牲层的蚀刻速率与导电材料层的蚀刻速率较为一致，使得蚀刻后栅极导电层的顶面与衬底的表面基本齐平，防止形成的栅极导电层的厚度过小，避免后续被接触孔插塞时吃穿，由此可提高沟槽型功率器件的可靠性和良率。
沟槽功率器件制造方法

[发明专利]屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法-CN202210828997.4有效
发明人：闵源;张鼎丰 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，所述制造方法包括：提供一衬底，衬底上覆盖有垫氧化层；形成蚀刻阻挡层，覆盖垫氧化层；形成沟槽，且蚀刻阻挡层的蚀刻速率与垫氧化层的蚀刻速率之比为1.1:1~1:1；在沟槽中形成屏蔽栅结构；形成隔离材料层；以衬底的表面为研磨停止层执行研磨工艺，以暴露衬底的表面。本发明中，通过牺牲层填充部分深度的第一凹陷，且在蚀刻时蚀刻阻挡层的蚀刻速率等于或者略大于垫氧化层的蚀刻速率，可减少或避免沟槽侧壁的悬突问题。另外，还通过以衬底的表面作为研磨停止层，不需要额外设置研磨停止层，简化了工艺流程，还可减少形成后续的填充厚度及研磨厚度，从而节省了材料成本并提高了生产效率。
屏蔽沟槽功率器件制造方法

[实用新型]一种晶圆对准装置-CN202220630490.3有效
发明人： 张鼎丰;闵源;刘瑶;龚家海 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆对准装置，用于将带有缺口的晶圆的转动至预设位置，所述晶圆对准装置包括：伯努利吸盘，用于吸附并带动所述晶圆转动；若干圆周分布的垫块，位于所述伯努利吸盘的吸附面上，且所述垫块的顶面具有台阶，所述台阶的台阶面靠近所述伯努利吸盘的中心，所述晶圆放置于所述垫块的台阶面上，所述垫块限制所述晶圆在水平方向上的位移，有效防止当所述伯努利吸盘带动所述晶圆转动及停止转动时，所述晶圆由于惯性及所述伯努利吸盘吸附不牢固而发生的位移，保证晶圆对准的精度，提高产品的良率。
一种对准装置

[发明专利]一种银纳米颗粒聚集增强异硫氰酸罗丹明B荧光强度的方法-CN201910033340.7有效
发明人：徐清华;张鼎丰;李爽 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种银纳米颗粒聚集增强异硫氰酸罗丹明B荧光强度的方法，包括如下步骤：（1）银纳米颗粒的制备；（2）在银纳米颗粒表面修饰异硫氰酸罗丹明B，得表面修饰异硫氰酸罗丹明B的银纳米颗粒；（3）加入连接剂，表面修饰异硫氰酸罗丹明B的银纳米颗粒发生聚集，增强异硫氰酸罗丹明B荧光强度。本发明主要是利用贵金属纳米颗粒聚集耦合产生的“热点”，导致纳米颗粒间的局域电场显著增强，从而提高在其表面异硫氰酸罗丹明B的荧光发射效率，恢复甚至增强单分散下被银纳米颗粒淬灭的异硫氰酸罗丹明B荧光。该方法荧光增强明显，且样品能分散在水相，聚集前后荧光变化显著。
一种纳米颗粒聚集增强氰酸罗丹荧光强度方法

[发明专利]一种互连结构的形成方法-CN202110476125.1在审
发明人： 张鼎丰;闵源 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种互连结构的形成方法，包括：提供一衬底，衬底表面形成有介质层，介质层中形成有暴露衬底表面的通孔；依次形成粘附层及阻挡层，粘附层覆盖介质层及通孔的内壁，阻挡层覆盖粘附层；形成第一导电层，第一导电层填充通孔并覆盖阻挡层；以阻挡层为研磨停止层，执行化学机械研磨工艺；以及，形成第二导电层，第二导电层覆盖阻挡层以及通孔中的第一导电层。通过利用阻挡层作为CMP的研磨停止层，只形成一次粘附层及阻挡层，简化互连结构的形成方法，可缩短工艺制程、降低成本；通过简化形成方法及减少形成介质层所需的厚度，可减少物料消耗，同时还可减小衬底的翘曲度，以解决上述形成互连结构过程中工艺繁琐且成本较高的问题。
一种互连结构形成方法

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