[发明专利]一种互连结构的形成方法在审
| 申请号： | 202110476125.1 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113192881A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 张鼎丰;闵源 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 互连 结构 形成 方法 | ||
1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底表面形成有介质层，所述介质层中形成有暴露所述衬底表面的通孔；
依次形成粘附层及阻挡层，所述粘附层覆盖所述介质层及所述通孔的内壁，所述阻挡层覆盖所述粘附层；
形成第一导电层，所述第一导电层填充所述通孔并覆盖所述阻挡层；
以所述阻挡层为研磨停止层，执行化学机械研磨工艺；以及，
形成第二导电层，所述第二导电层覆盖所述阻挡层以及所述通孔中的第一导电层。
2.根据权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，执行化学机械研磨时，通过检测所述第一导电层的光学反射率的变化以确定所述研磨停止层。
3.根据权利要求2所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的光学反射率小于所述第一导电层的光学反射率。
4.根据权利要求3所述的互连结构的形成方法，其特征在于，检测到所述阻挡层后，继续执行化学机械研磨以过研磨200～300埃的厚度。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的互连结构的形成方法，其特征在于，直接在所述粘附层上形成所述阻挡层，或者对所述粘附层执行氮化从而形成阻挡层。
6.根据权利要求5所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述粘附层为钛，所述阻挡层为氮化钛。
7.根据权利要求6所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为800～1200埃。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述介质层为氧化硅。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述一导电层的材质为钨。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述第二导电层的材质为铝。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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