[发明专利]一种IVB族原子和铝共掺制备p型4H-SiC的方法有效
| 申请号： | 202110475998.0 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113279065B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 皮孝东;徐所成;王蓉;黄渊超;钱怡潇;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C30B31/02 | 分类号： | C30B31/02;C30B31/16;C30B29/36 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 金方玮 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明通过在4H‑SiC中掺入铝原子与IVB族原子，有效地降低了碳化硅晶体中铝的电离能，实现了低阻p型4H‑SiC的制备。本发明利用IVB族原子掺杂后引入一个空的杂质轨道e能级，与Al的3/4占据的e轨道形成有效的库伦排斥，从而降低Al杂质的电离能。IVB族原子的掺杂浓度保证在10 |
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| 搜索关键词： | 一种 ivb 原子 铝共掺 制备 sic 方法 | ||
【主权项】：
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