[发明专利]光传感器在审
| 申请号： | 202110475302.4 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114709228A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 张柏钧;林炳豪;李国政 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 史瞳;谢琼慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文揭示一种光传感器，包括衬底、光侦测柱、栅极结构、浮置节点结构以及通道结构。所述衬底具有第一掺杂类型。所述光侦测柱具有第二掺杂类型，并且设置于所述衬底中。所述栅极结构在垂直方向上设置于所述衬底上，并且与光侦测柱电绝缘。所述浮置节点结构设置于所述栅极结构上，于所述垂直方向上相反于所述光侦测柱，且与所述栅极结构电绝缘。所述通道结构延伸穿过所述栅极结构，与所述栅极结构电绝缘，并且电连接至所述光侦测柱及所述浮置节点结构。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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