[发明专利]具有垂直沟道的晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 202110474686.8 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN115274443A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 李杰;赵立新 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有垂直沟道的晶体管的制造方法，包括：刻蚀半导体基底，形成沟槽；在所述沟槽中通过外延生长的方式形成沟道掺杂层；在所述沟道掺杂层表面以及半导体基底表面形成栅极介质层；在所述沟槽中填充多晶硅，形成部分埋入半导体基底，部分凸出于半导体基底的多晶硅栅极；从而形成具有垂直沟道的晶体管。本发明在半导体基底的沟槽中通过外延生长的方式形成沟道掺杂层，掺杂均匀性高，沟道性能好，能够较好地降低界面缺陷的影响，减少晶体管的噪声，同时可以在有限的芯片面积下增大沟道宽度，提高晶体管的传输速度和栅控能力，并且工艺简单易行，成本较低，从而改善了产品整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 沟道 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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