[发明专利]ETOX结构闪存浮栅填充的方法及其闪存在审
| 申请号： | 202110467586.2 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113223996A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 徐杰;李志国;郭霞文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/28;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种ETOX结构闪存浮栅填充的方法，包括：步骤S1，在半导体衬底上沉积硬掩膜层，提供所述半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积形成有图案化的所述硬掩膜层；步骤S2，刻蚀形成浅沟槽，以图案化的所述硬掩膜层为掩膜蚀刻部分所述半导体衬底，以形成若干所述浅沟槽，所述浅沟槽的底部位于所述半导体衬底中；步骤S3，填充形成隔离材料层，在所述浅沟槽中填充隔离材料以形成所述隔离材料层，所述隔离材料为二氧化硅；步骤S4，平坦化所述隔离材料层，形成浅沟槽隔离结构，所述平坦化的方法为化学机械研磨法；步骤S5，回刻所述硬掩膜层，所述回刻包括三次回刻工艺；步骤S6，填充浮栅。 | ||
| 搜索关键词： | etox 结构 闪存 填充 方法 及其 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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